超大規(guī)模集成電路制造過(guò)程中要反復(fù)用到的濺射（Sputtering）工藝屬于物理氣相沉積（PVD）技術(shù)的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術(shù)之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在高真空中經(jīng)過(guò)加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換，使固體表面的原子離開(kāi)固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱(chēng)為濺射靶材。

濺射靶材工作原理示意圖如下：

一般來(lái)說(shuō)，濺射靶材主要由靶坯、背板等部分構(gòu)成，其中，靶坯是高速離子束流轟擊的目標(biāo)材料，屬于濺射靶材的核心部分，在濺射鍍膜過(guò)程中，靶坯被離子撞擊后，其表面原子被濺射飛散出來(lái)并沉積于基板上制成電子薄膜；由于高純度金屬?gòu)?qiáng)度較低，而濺射靶材需要安裝在專(zhuān)用的機(jī)臺(tái)內(nèi)完成濺射過(guò)程，機(jī)臺(tái)內(nèi)部為高電壓、高真空環(huán)境，因此，超高純金屬的濺射靶坯需要與背板通過(guò)不同的焊接工藝進(jìn)行接合，背板起到主要起到固定濺射靶材的作用，且需要具備良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能。 

濺射靶材的種類(lèi)較多，即使相同材質(zhì)的濺射靶材也有不同的規(guī)格。按照不同的分類(lèi)方法，能夠?qū)R射靶材分為不同的類(lèi)別，主要分類(lèi)情況如下：

• 按形狀分類(lèi):長(zhǎng)靶、方靶、圓靶

  
  

• 按化學(xué)成份分類(lèi): 金屬靶材（純金屬鋁、鈦、銅、鉭等）、合金靶材（鎳鉻合金、鎳鈷合金等）、陶瓷化合物靶材（氧化物、硅化物、碳化物、硫化物等）

  
  

• 按應(yīng)用領(lǐng)域分類(lèi): 半導(dǎo)體芯片靶材、平面顯示器靶材、太陽(yáng)能電池靶材、信息存儲(chǔ)靶材、工具改性靶材、電子器件靶材、其他靶材

在濺射靶材應(yīng)用領(lǐng)域中，半導(dǎo)體芯片對(duì)濺射靶材的金屬材料純度、內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)等方面都設(shè)定了極其苛刻的標(biāo)準(zhǔn)，需要掌握生產(chǎn)過(guò)程中的關(guān)鍵技術(shù)并經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期實(shí)踐才能制成符合工藝要求的產(chǎn)品，因此，半導(dǎo)體芯片對(duì)濺射靶材的要求是最高的，價(jià)格也最為昂貴；相較于半導(dǎo)體芯片，平面顯示器、太陽(yáng)能電池對(duì)于濺射靶材的純度和技術(shù)要求略低一籌，但隨著靶材尺寸的增大，對(duì)濺射靶材的焊接結(jié)合率、平整度等指標(biāo)提出了更高的要求。此外，濺射靶材需要安裝在濺射機(jī)臺(tái)內(nèi)完成濺射過(guò)程，濺射機(jī)臺(tái)專(zhuān)用性強(qiáng)，對(duì)濺射靶材的形狀、尺寸和精度也設(shè)定了諸多限制。

高純?yōu)R射靶材行業(yè)屬于電子材料領(lǐng)域，其產(chǎn)業(yè)鏈上下游關(guān)系如下：

超高純金屬及濺射靶材是電子材料的重要組成部分，濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈主要包括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應(yīng)用等環(huán)節(jié)，其中，靶材制造和濺射鍍膜環(huán)節(jié)是整個(gè)濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

高純?yōu)R射靶材產(chǎn)業(yè)鏈

高純度乃至超高純度的金屬材料是生產(chǎn)高純?yōu)R射靶材的基礎(chǔ)，以半導(dǎo)體芯片用濺射靶材為例，若濺射靶材雜質(zhì)含量過(guò)高，則形成的薄膜無(wú)法達(dá)到使用所要求的電性能，并且在濺射過(guò)程中易在晶圓上形成微粒，導(dǎo)致電路短路或損壞，嚴(yán)重影響薄膜的性能。通常情況下，高純金屬提純分為化學(xué)提純和物理提純，為了獲得更高純度的金屬材料，最大限度地去除雜質(zhì)，需要將化學(xué)提純和物理提純結(jié)合使用。在將金屬提純到相當(dāng)高的純度后，往往還需配比其他金屬元素才能投入使用，在這個(gè)過(guò)程中，需要經(jīng)過(guò)熔煉、合金化和鑄造等步驟：通過(guò)精煉高純金屬，去除氧氣、氮?dú)獾榷嘤鄽怏w；再加入少量合金元素，使其與高純金屬充分結(jié)合并均勻分布；最后將其鑄造成沒(méi)有缺陷的錠材，滿(mǎn)足生產(chǎn)加工過(guò)程中對(duì)金屬成份、尺寸大小的要求。

濺射靶材制造環(huán)節(jié)首先需要根據(jù)下游應(yīng)用領(lǐng)域的性能需求進(jìn)行工藝設(shè)計(jì)，然后進(jìn)行反復(fù)的塑性變形、熱處理，需要精確地控制晶粒、晶向等關(guān)鍵指標(biāo)，再經(jīng)過(guò)焊接、機(jī)械加工、清洗干燥、真空包裝等工序。濺射靶材制造所涉及的工序精細(xì)且繁多，工序流程管理及制造工藝水平將直接影響到濺射靶材的質(zhì)量和良品率。

濺射鍍膜是指物體被離子撞擊時(shí)，被濺射飛散出，因被濺射飛散的物體附著于目標(biāo)基板上而制成薄膜的過(guò)程，濺射靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料。此環(huán)節(jié)是在濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈條中對(duì)生產(chǎn)設(shè)備及技術(shù)工藝要求最高的環(huán)節(jié)，濺射薄膜的品質(zhì)對(duì)下游產(chǎn)品的質(zhì)量具有重要影響。在濺射鍍膜過(guò)程中，濺射靶材需要安裝在機(jī)臺(tái)中完成濺射反應(yīng)，濺射機(jī)臺(tái)專(zhuān)用性強(qiáng)、精密度高，市場(chǎng)長(zhǎng)期被美國(guó)、日本跨國(guó)集團(tuán)壟斷，主要設(shè)備提供商包括AMAT（美國(guó)）、ULVAC（日本）、ANELVA（日本）、Varian（美國(guó)）、ULVAC（日本）等行業(yè)內(nèi)知名企業(yè)。

終端應(yīng)用是針對(duì)各類(lèi)市場(chǎng)需求利用封裝好的元器件制成面向最終用戶(hù)的產(chǎn)品，包括汽車(chē)電子、智能手機(jī)、平板電腦、家用電器等終端消費(fèi)電子產(chǎn)品。通常情況下，在半導(dǎo)體靶材濺射鍍膜后，需要將鍍膜硅片切割并進(jìn)行芯片封裝。封裝是指將電路用導(dǎo)線連接到外部接頭處，以便與其他器件連接的工序，不僅能夠起到保護(hù)芯片的作用，還將芯片與外界隔離，防止空氣中的雜質(zhì)對(duì)芯片電路造成腐蝕而損害導(dǎo)電性能。此外，終端應(yīng)用也包括制備太陽(yáng)能電池、光學(xué)鍍膜、工具改性、高檔裝飾用品等，此環(huán)節(jié)技術(shù)面較寬，呈現(xiàn)多樣化特征。

全球范圍內(nèi)，濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)參與企業(yè)數(shù)量基本呈金字塔型分布，高純?yōu)R射靶材制造環(huán)節(jié)技術(shù)門(mén)檻高、設(shè)備投資大，具有規(guī)?；a(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量相對(duì)較少，主要分布在美國(guó)、日本等國(guó)家和地區(qū)，其中，部分企業(yè)同時(shí)開(kāi)展金屬提純業(yè)務(wù)，將產(chǎn)業(yè)鏈延伸到上游領(lǐng)域；部分企業(yè)只擁有濺射靶材生產(chǎn)能力，高純度金屬需要上游企業(yè)供應(yīng)。濺射靶材最高端的應(yīng)用是在超大規(guī)模集成電路芯片制造領(lǐng)域，這個(gè)領(lǐng)域只有美國(guó)和日本的少數(shù)公司（日礦金屬、霍尼韋爾、東曹、普萊克斯等）從事相關(guān)業(yè)務(wù)，是一個(gè)被跨國(guó)公司壟斷的行業(yè)。

作為濺射靶材客戶(hù)端的濺射鍍膜環(huán)節(jié)具有規(guī)?；a(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量相對(duì)較多，但質(zhì)量參差不齊，美國(guó)、歐洲、日本、韓國(guó)等知名企業(yè)居于技術(shù)領(lǐng)先地位，品牌知名度高、市場(chǎng)影響力大，通常會(huì)將產(chǎn)業(yè)鏈擴(kuò)展至下游應(yīng)用領(lǐng)域，利用技術(shù)先導(dǎo)優(yōu)勢(shì)和高端品牌迅速占領(lǐng)終端消費(fèi)市場(chǎng)，如IBM、飛利浦、東芝、三星等。

終端應(yīng)用環(huán)節(jié)是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈中規(guī)模最大的領(lǐng)域，其產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)與生產(chǎn)分散在各個(gè)行業(yè)領(lǐng)域，同時(shí)，此環(huán)節(jié)具有突出的勞動(dòng)密集性特點(diǎn)，參與企業(yè)數(shù)量最多，機(jī)器設(shè)備投資一般，主要分布在日本、中國(guó)臺(tái)灣和中國(guó)大陸等，并逐漸將生產(chǎn)工廠向人力成本低的國(guó)家和地區(qū)轉(zhuǎn)移。

濺射靶材產(chǎn)業(yè)分布具有一定的區(qū)域性特征，美國(guó)、日本跨國(guó)集團(tuán)產(chǎn)業(yè)鏈完整，囊括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應(yīng)用各個(gè)環(huán)節(jié)，具備規(guī)模化生產(chǎn)能力，在掌握先進(jìn)技術(shù)以后實(shí)施壟斷和封鎖，主導(dǎo)著技術(shù)革新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展；韓國(guó)、新加坡及中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)在磁記錄及光學(xué)薄膜領(lǐng)域有所特長(zhǎng)。另外由于上述地區(qū)芯片及液晶面板產(chǎn)業(yè)發(fā)展較早，促使服務(wù)分工明確，可以為產(chǎn)業(yè)鏈下游的品牌企業(yè)提供如焊接、清洗、包裝等專(zhuān)業(yè)代工服務(wù)，將上游基礎(chǔ)材料和下游終端應(yīng)用對(duì)接，起到承上啟下的作用，并在一定程度上推動(dòng)上游濺射靶材的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和市場(chǎng)擴(kuò)展。但是上述地區(qū)的靶材服務(wù)廠商缺少核心技術(shù)及裝備，不能夠在金屬的提純、組織的控制等核心技術(shù)領(lǐng)域形成競(jìng)爭(zhēng)力濺射靶材的材料即靶坯依然依賴(lài)美國(guó)和日本的進(jìn)口。超高純金屬材料及濺射靶材在我國(guó)還屬于較新的行業(yè)，以芯片制造廠商、液晶面板制造企業(yè)為代表的下游濺射鍍膜和終端用戶(hù)正在加大力度擴(kuò)展產(chǎn)能。從全球來(lái)看，芯片及液晶面板行業(yè)制造向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移趨勢(shì)愈演愈烈，中國(guó)正在迎來(lái)這一領(lǐng)域的投資高峰。為此高端濺射靶材的應(yīng)用市場(chǎng)需求正在快速增長(zhǎng)。

由于濺射鍍膜工藝起源于國(guó)外，所需要的濺射靶材產(chǎn)品性能要求高、專(zhuān)業(yè)應(yīng)用性強(qiáng)，因此，長(zhǎng)期以來(lái)全球?yàn)R射靶材研制和生產(chǎn)主要集中在美國(guó)、日本少數(shù)幾家公司，產(chǎn)業(yè)集中度相當(dāng)高。以霍尼韋爾（美國(guó)）、日礦金屬（日本）、東曹（日本）等跨國(guó)集團(tuán)為代表的濺射靶材生產(chǎn)商較早涉足該領(lǐng)域，經(jīng)過(guò)幾十年的技術(shù)積淀，憑借其雄厚的技術(shù)力量、精細(xì)的生產(chǎn)控制和過(guò)硬的產(chǎn)品質(zhì)量居于全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)的主導(dǎo)地位，占據(jù)絕大部分市場(chǎng)份額。這些企業(yè)在掌握濺射靶材生產(chǎn)的核心技術(shù)以后，實(shí)施極其嚴(yán)格的保密措施，限制技術(shù)擴(kuò)散，同時(shí)不斷進(jìn)行橫向擴(kuò)張和垂直整合，將業(yè)務(wù)觸角積極擴(kuò)展到濺射鍍膜的各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域，牢牢把握著全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)的主動(dòng)權(quán)，并引領(lǐng)著全球?yàn)R射靶材行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步。

受到發(fā)展歷史和技術(shù)限制的影響，濺射靶材行業(yè)在我國(guó)起步較晚，目前仍然屬于一個(gè)較新的行業(yè)。與國(guó)際知名企業(yè)生產(chǎn)的濺射靶材相比，我國(guó)濺射靶材研發(fā)生產(chǎn)技術(shù)還存在一定差距，市場(chǎng)影響力相對(duì)有限，尤其在半導(dǎo)體芯片、平板顯示器、太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域，全球高純?yōu)R射靶材市場(chǎng)依然被美國(guó)、日本的濺射靶材生產(chǎn)廠商所控制或壟斷。隨著濺射靶材朝著更高純度、更大尺寸的方向發(fā)展，我國(guó)濺射靶材生產(chǎn)企業(yè)只有不斷進(jìn)行研發(fā)創(chuàng)新，具備較強(qiáng)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)能力，研制出適用不同應(yīng)用領(lǐng)域的濺射靶材產(chǎn)品，才能在全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)中占得一席之地。

半導(dǎo)體芯片、平板顯示器、太陽(yáng)能電池等下游工業(yè)對(duì)產(chǎn)品的品質(zhì)和穩(wěn)定性等方面有較高的要求，為了嚴(yán)格控制產(chǎn)品質(zhì)量，下游客戶(hù)尤其是全球知名廠商在選擇供應(yīng)商時(shí)，供應(yīng)商資格認(rèn)證壁壘較高，且認(rèn)證周期較長(zhǎng)。我國(guó)高純?yōu)R射靶材企業(yè)要進(jìn)入國(guó)際市場(chǎng)，首先要通過(guò)部分國(guó)際組織和行業(yè)協(xié)會(huì)為高純?yōu)R射靶材設(shè)置的行業(yè)性質(zhì)量管理體系標(biāo)準(zhǔn)，例如，應(yīng)用于汽車(chē)電子的半導(dǎo)體廠商普遍要求上游濺射靶材供應(yīng)商能夠通過(guò)ISO/TS16949質(zhì)量管理體系認(rèn)證，應(yīng)用于電器設(shè)備的濺射靶材生產(chǎn)商需要滿(mǎn)足歐盟制定的RoHS強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)；其次，半導(dǎo)體芯片、平板顯示器、太陽(yáng)能電池等下游知名客戶(hù)均建立了十分完善的客戶(hù)認(rèn)證體系，在高純?yōu)R射靶材供應(yīng)商滿(mǎn)足行業(yè)性質(zhì)量管理體系認(rèn)證的基礎(chǔ)上，下游客戶(hù)往往還會(huì)根據(jù)自身的質(zhì)量管理要求再對(duì)供應(yīng)商進(jìn)行合格供應(yīng)商認(rèn)證。認(rèn)證過(guò)程主要包括技術(shù)評(píng)審、產(chǎn)品報(bào)價(jià)、樣品檢測(cè)、小批量試用、批量生產(chǎn)等幾個(gè)階段，認(rèn)證過(guò)程相當(dāng)苛刻，從新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)到實(shí)現(xiàn)大批量供貨，整個(gè)過(guò)程一般需要2-3年時(shí)間。為了降低供應(yīng)商開(kāi)發(fā)與維護(hù)成本，保證產(chǎn)品質(zhì)量的持續(xù)性，濺射靶材供應(yīng)商在通過(guò)下游客戶(hù)的資格認(rèn)證后，下游客戶(hù)會(huì)與濺射靶材供應(yīng)商保持長(zhǎng)期穩(wěn)定的合作關(guān)系，不會(huì)輕易更換供應(yīng)商，并在技術(shù)合作、供貨份額等方面向優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商傾斜。

近年來(lái)，受益于國(guó)家從戰(zhàn)略高度持續(xù)地支持電子材料行業(yè)的發(fā)展及應(yīng)用推廣，我國(guó)國(guó)內(nèi)開(kāi)始出現(xiàn)少量專(zhuān)業(yè)從事高純?yōu)R射靶材研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)，并成功開(kāi)發(fā)出一批能適應(yīng)高端應(yīng)用領(lǐng)域的濺射靶材，為高純?yōu)R射靶材大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化提供了良好的研發(fā)基礎(chǔ)和市場(chǎng)化條件。通過(guò)將濺射靶材研發(fā)成果產(chǎn)業(yè)化，積極參與濺射靶材的國(guó)際化市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，我國(guó)濺射靶材生產(chǎn)企業(yè)在技術(shù)和市場(chǎng)方面都取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步，改變了高純?yōu)R射靶材長(zhǎng)期依賴(lài)進(jìn)口的不利局面。目前，江豐股份等國(guó)內(nèi)企業(yè)已經(jīng)掌握了高純?yōu)R射靶材生產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)，積累了較為豐富的產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn)，擁有了一定的市場(chǎng)知名度，獲得了全球知名客戶(hù)的認(rèn)可。

濺射技術(shù)作為薄膜材料制備的主流工藝，其應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，如集成電路、平板顯示器、太陽(yáng)能電池、信息存儲(chǔ)、工具改性、光學(xué)鍍膜、電子器件、高檔裝飾用品等行業(yè)。高純?yōu)R射靶材則主要用于對(duì)材料純度、穩(wěn)定性要求更高的領(lǐng)域，如集成電路、平板顯示器、太陽(yáng)能電池、記錄媒體、智能玻璃等行業(yè)。

20 世紀(jì)90 年代以來(lái)，隨著消費(fèi)電子等終端應(yīng)用市場(chǎng)的飛速發(fā)展，高純?yōu)R射靶材的市場(chǎng)規(guī)模日益擴(kuò)大，呈現(xiàn)高速增長(zhǎng)的勢(shì)頭。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2015年世界高純?yōu)R射靶材市場(chǎng)的年銷(xiāo)售額約94.8 億美元。據(jù)預(yù)測(cè)，未來(lái)5 年，世界濺射靶材的市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)160 億美元，高純?yōu)R射靶材市場(chǎng)規(guī)模年復(fù)合增長(zhǎng)率可達(dá)到13%。

目前高純?yōu)R射靶材產(chǎn)品主要應(yīng)用于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、平板顯示器產(chǎn)業(yè)以及太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)，這些領(lǐng)域的市場(chǎng)容量及發(fā)展趨勢(shì)如下：

（1）半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

高純?yōu)R射靶材是伴隨著半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展而興起的，集成電路產(chǎn)業(yè)成為目前高純?yōu)R射靶材的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一。隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，要求集成電路的集成度越來(lái)越高，電路中單元器件尺寸不斷縮小。每個(gè)單元器件內(nèi)部由襯底、絕緣層、介質(zhì)層、導(dǎo)體層及保護(hù)層等組成，其中，介質(zhì)層、導(dǎo)體層甚至保護(hù)層都要用到濺射鍍膜工藝，因此濺射靶材是制備集成電路的核心材料之一。集成電路領(lǐng)域的鍍膜用靶材主要包括鋁靶、鈦靶、銅靶、鉭靶、鎢鈦靶等，要求靶材純度很高，一般在5N（99.999%）以上。

受困于2008年爆發(fā)的金融危機(jī)，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)2009年陷入全面衰退中，2009年，全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額僅為2,263.1億美元，同比下降8.90%。此后，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)迅速反彈，2010年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)總銷(xiāo)售額約為2,983.2億美元，較上年同期上漲31.82%。2011-2014年，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)保持平穩(wěn)增長(zhǎng)，年均復(fù)合增長(zhǎng)率為3.88%，2014年銷(xiāo)售額達(dá)到3,358.0億美元。2015年全球半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模與2014年基本持平。根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織（WSTS）預(yù)測(cè)，2016年和2017年全球半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模將繼續(xù)保持增長(zhǎng)，增長(zhǎng)率分別為0.3%和3.1%?？傮w來(lái)看，近年來(lái)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)仍然處于整體平穩(wěn)上升階段。

隨著智能手機(jī)、平板電腦、汽車(chē)電子等終端消費(fèi)領(lǐng)域?qū)Π雽?dǎo)體需求的持續(xù)增長(zhǎng)，尤其是消費(fèi)電子產(chǎn)品與互聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的緊密結(jié)合，導(dǎo)致手機(jī)、平板電腦、智能電視等網(wǎng)絡(luò)接入終端產(chǎn)品的應(yīng)用面持續(xù)擴(kuò)大，從而進(jìn)一步提升半導(dǎo)體市場(chǎng)容量，預(yù)計(jì)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)在未來(lái)將保持持續(xù)增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)。芯片產(chǎn)業(yè)是大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、互聯(lián)網(wǎng)的基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)。這些產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展為芯片帶來(lái)了強(qiáng)勁的市場(chǎng)需求。由于半導(dǎo)體行業(yè)所需濺射靶材品種繁多，且每一種需求量都較大，穩(wěn)定的下游市場(chǎng)增速將有力地促進(jìn)濺射靶材銷(xiāo)售規(guī)模的擴(kuò)大。

根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(huì)（SEMI）統(tǒng)計(jì)：2015年全球半導(dǎo)體材料銷(xiāo)售額為435億美元，其中晶圓制造材料銷(xiāo)售額為242億美元，封裝材料為193億美元。在晶圓制造材料中，濺射靶材約占芯片制造材料市場(chǎng)的2.6%。在封裝測(cè)試材料中，濺射靶材約占封裝測(cè)試材料市場(chǎng)的2.7%。2015年全球半導(dǎo)體用濺射靶材銷(xiāo)售額為11.4億美元。

隨著國(guó)內(nèi)電子產(chǎn)品制造業(yè)的飛速發(fā)展，我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)潛力巨大。經(jīng)過(guò)多年的引進(jìn)和大規(guī)模投資，我國(guó)現(xiàn)已初步形成了從設(shè)計(jì)、前工序到后封裝的產(chǎn)業(yè)輪廓。在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)整體增長(zhǎng)的帶動(dòng)下，我國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)步入高速增長(zhǎng)軌道。我國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模從2006年1,727億元增加到2013年的3,873億元，增幅達(dá)124.26%，在此期間內(nèi)年均復(fù)合增長(zhǎng)率約為12.23%。

中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展也為半導(dǎo)體制造材料市場(chǎng)的發(fā)展奠定了良好的基礎(chǔ)。2015年，我國(guó)半導(dǎo)體制造材料市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到61.2億美元。集成電路用濺射靶材為半導(dǎo)體制造材料中的一類(lèi)，2015年，我國(guó)集成電路用濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模為11.6億元，預(yù)計(jì)2016年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體用濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模將突破14億元。

隨著國(guó)產(chǎn)濺射靶材的技術(shù)成熟，尤其是國(guó)產(chǎn)濺射靶材具備較高的性?xún)r(jià)比優(yōu)勢(shì)，并且符合濺射靶材國(guó)產(chǎn)化的政策導(dǎo)向，我國(guó)濺射靶材的市場(chǎng)規(guī)模將進(jìn)一步擴(kuò)大，在全球市場(chǎng)中有望獲得更多客戶(hù)的認(rèn)可，市場(chǎng)份額進(jìn)一步提高。

（2）平板顯示產(chǎn)業(yè)（含觸摸屏產(chǎn)業(yè)）

平板顯示器主要包括液晶顯示器（LCD）、等離子顯示器（PDP）、場(chǎng)致發(fā)光顯示器（EL）、場(chǎng)發(fā)射顯示器（FED）等。其中，市場(chǎng)應(yīng)用以液晶顯示器為主。近年來(lái)，液晶顯示器逐漸取代陰極射線管顯示器成為全球主流的顯示技術(shù)，在平面顯示市場(chǎng)中得到了廣泛的應(yīng)用，主要應(yīng)用領(lǐng)域包括高清晰電視、筆記本電腦、臺(tái)式電腦顯示器等電子產(chǎn)品。平板顯示器多由金屬電極、透明導(dǎo)電極、絕緣層、發(fā)光層組成，為了保證大面積膜層的均勻性，提高生產(chǎn)率和降低成本，濺射技術(shù)越來(lái)越多地被用來(lái)制備這些膜層。平面顯示鍍膜用靶材主要品種有：鉻靶、鉬靶、鋁靶、鋁合金靶、銅靶、銅合金靶和摻錫氧化銦（ITO）靶材等。

從全球液晶顯示市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)來(lái)看，平板電腦成長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿?lái)自于在發(fā)達(dá)市場(chǎng)的應(yīng)用增長(zhǎng)（包括北美、日本和西歐），根據(jù)DisplaySearch預(yù)測(cè)，平板電腦在發(fā)達(dá)市場(chǎng)的出貨量將從2012年的0.8億臺(tái)增長(zhǎng)到2017年的2.54億臺(tái)。由于液晶顯示用濺射靶材尺寸普遍較大，液晶面板出貨量平穩(wěn)較快的增長(zhǎng)速度將為濺射靶材生產(chǎn)廠商提供更加廣闊的發(fā)展空間。

在全球液晶顯示領(lǐng)域，隨著日本品牌影響力的下降，韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣廠商的市場(chǎng)地位越來(lái)越突出，其中，韓國(guó)以LG、三星為代表，LG通過(guò)不斷推陳出新，一段時(shí)期以來(lái)居于全球液晶面板出貨量榜首；中國(guó)臺(tái)灣則屬于液晶顯示技術(shù)較強(qiáng)和產(chǎn)業(yè)化程度較高的地區(qū)。我國(guó)大陸作為液晶面板最大的需求地之一，主要從韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣等國(guó)家和地區(qū)進(jìn)口，解決好液晶面板的來(lái)源已經(jīng)涉及到我國(guó)的產(chǎn)業(yè)安全。

中國(guó)大陸從上世紀(jì)80年代開(kāi)始進(jìn)入液晶顯示領(lǐng)域，并緊密跟隨液晶顯示技術(shù)的發(fā)展。在政府政策導(dǎo)向和產(chǎn)業(yè)扶植下，我國(guó)大陸液晶顯示產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，目前已經(jīng)成為全球主要液晶面板生產(chǎn)大國(guó)，并相繼形成了以京東方、深天馬、華星光電等為代表的市場(chǎng)影響力較大的液晶面板本土品牌。而傳統(tǒng)的液晶面板生產(chǎn)強(qiáng)國(guó)韓國(guó)、日本出于降低制造成本等因素的考慮，近年來(lái)加大在我國(guó)大陸投資設(shè)廠的力度，通過(guò)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的方式提升全球市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。因此，近年來(lái)國(guó)內(nèi)的平板顯示產(chǎn)業(yè)規(guī)模迅速增長(zhǎng)，繼日本、韓國(guó)以及臺(tái)灣地區(qū)后，成為平板顯示行業(yè)發(fā)展速度最快的地區(qū)。

賽迪顧問(wèn)數(shù)據(jù)顯示，2015年中國(guó)平板顯示器件產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模達(dá)到1,190.6億元，同比增長(zhǎng)23.7%?？v觀2015年中國(guó)平板顯示器件產(chǎn)業(yè)，雖然產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)率相比2014年有所下降，但是隨著京東方重慶8.5代線、華星光電深圳8.5代線二期和中電熊貓南京8.5代線的相繼建成投產(chǎn)，以及2014年投產(chǎn)的諸多產(chǎn)線陸續(xù)度過(guò)爬坡期進(jìn)入量產(chǎn)期，整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模與2014年同期相比依舊保持了較快的增長(zhǎng)。

2016年，中國(guó)平板顯示產(chǎn)業(yè)在一系列投資的助推下發(fā)展迅速，TFT－LCD產(chǎn)業(yè)投資進(jìn)入新高潮，京東方、華星光電、和輝光電等面板企業(yè)在OLED上的投資也是非常搶眼。

基于產(chǎn)品價(jià)格、采購(gòu)國(guó)產(chǎn)化等因素的考慮，我國(guó)液晶面板廠商開(kāi)始有選擇地與本土優(yōu)秀濺射靶材廠商合作，并期望建立長(zhǎng)期合作伙伴關(guān)系，這為帶動(dòng)我國(guó)濺射靶材行業(yè)的快速發(fā)展提供了有利的市場(chǎng)條件。中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)顯示，2013年-2015年，全球平板顯示用濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模分別為29.5億美元、31.4億美元和33.8億美元。其中，我國(guó)平板顯示用濺射靶材2013年度、2014年度、2015年度市場(chǎng)規(guī)模分別為39.4億元、55億元和69.3億元。

1）跨國(guó)公司競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)明顯，處于行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位

高純?yōu)R射靶材是伴隨著半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展而興起的，屬于典型的技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)，產(chǎn)品術(shù)含量高，研發(fā)生產(chǎn)設(shè)備專(zhuān)用性強(qiáng)。隨著半導(dǎo)體工業(yè)技術(shù)創(chuàng)新的不斷深化，以美國(guó)、日本為代表的半導(dǎo)體廠商需要加強(qiáng)對(duì)上游原材料的創(chuàng)新力度，從而最大限度地保證半導(dǎo)體產(chǎn)品的技術(shù)先進(jìn)性，因此，美國(guó)、日本的半導(dǎo)體工業(yè)相繼催生了一批高純?yōu)R射靶材生產(chǎn)廠商，并于當(dāng)前居于全球市場(chǎng)的主導(dǎo)地位，在一定程度上，全球半導(dǎo)體工業(yè)的區(qū)域集聚性造就了高純?yōu)R射靶材生產(chǎn)企業(yè)的高度聚集。自誕生之日起，以美國(guó)、日本為代表的高純?yōu)R射靶材生產(chǎn)企業(yè)便對(duì)核心技術(shù)執(zhí)行嚴(yán)格的保密措施，導(dǎo)致濺射靶材行業(yè)在全球范圍內(nèi)呈現(xiàn)明顯的區(qū)域集聚特征，生產(chǎn)企業(yè)主要集中在美國(guó)和日本。

全球范圍內(nèi)，日礦金屬、霍尼韋爾、東曹、普萊克斯、住友化學(xué)、愛(ài)發(fā)科等資金實(shí)力雄厚、技術(shù)水平領(lǐng)先、產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn)豐富的跨國(guó)公司居于全球高純?yōu)R射靶材行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)地位，屬于濺射靶材的傳統(tǒng)強(qiáng)勢(shì)企業(yè)，憑借其強(qiáng)大的技術(shù)研發(fā)實(shí)力和市場(chǎng)影響力牢牢占據(jù)全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)的絕大部分市場(chǎng)份額，主導(dǎo)著全球?yàn)R射靶材產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，推動(dòng)行業(yè)技術(shù)的進(jìn)步。

2）國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)廠商興起，與跨國(guó)公司的差距逐步縮小

國(guó)內(nèi)市場(chǎng)中，高純?yōu)R射靶材產(chǎn)業(yè)起步較晚，主要高純?yōu)R射靶材生產(chǎn)企業(yè)均由國(guó)有資本和少數(shù)民營(yíng)資本所投資。受到技術(shù)、資金和人才的限制，國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)從事高純?yōu)R射靶材的生產(chǎn)廠商數(shù)量仍然偏少，企業(yè)規(guī)模和技術(shù)水平參差不齊，多數(shù)國(guó)內(nèi)廠商還處于企業(yè)規(guī)模較小、技術(shù)水平偏低、產(chǎn)業(yè)布局分散的狀態(tài)，市場(chǎng)尚處于開(kāi)拓初期，主要集中在低端產(chǎn)品領(lǐng)域進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng)，在半導(dǎo)體芯片、液晶顯示器和太陽(yáng)能電池等市場(chǎng)還無(wú)法與國(guó)際巨頭全面抗衡，但是依靠產(chǎn)業(yè)政策導(dǎo)向、產(chǎn)品價(jià)格優(yōu)勢(shì)已經(jīng)在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有一定的市場(chǎng)份額，并逐步在個(gè)別產(chǎn)品或領(lǐng)域擠占國(guó)際廠商的市場(chǎng)空間。

經(jīng)過(guò)數(shù)年的科技攻關(guān)和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，目前，國(guó)內(nèi)高純?yōu)R射靶材生產(chǎn)企業(yè)已經(jīng)逐漸突破關(guān)鍵技術(shù)門(mén)檻，擁有了部分產(chǎn)品的規(guī)模化生產(chǎn)能力，整體實(shí)力不斷增強(qiáng)，形成了以本公司、有研新材等為代表的專(zhuān)業(yè)從事高純?yōu)R射靶材的生產(chǎn)商，正在經(jīng)歷高速發(fā)展時(shí)期，上升勢(shì)頭較快，打破了濺射靶材核心技術(shù)由國(guó)外壟斷、產(chǎn)品供應(yīng)完全需要進(jìn)口的不利局面，不斷彌補(bǔ)國(guó)內(nèi)同類(lèi)產(chǎn)品的技術(shù)缺陷，進(jìn)一步完善濺射靶材產(chǎn)業(yè)發(fā)展鏈條，并積極參與國(guó)際技術(shù)交流和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。

來(lái)源：材料十